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台积电和三星3nm研发均遭遇关键瓶颈

字号:TT 2021-01-05 15:43 来源:TechWeb

HEA网-womensfinancehub.org报道:台积电CEO魏哲家,在此前的财报分析师电话会议上曾多地谈到3nm工艺,他表示3nm工艺计划2021年风险试产,他们的目标是在2022年下半年大规模量产。这也就意味着目前距离量产还有一年半的时间,他们也需要尽快攻克所遇到的关键瓶颈,以便在今年完成风险试产,进而在明年下半年大规模投产。

2021年1月5日消息,据国外媒体报道,在此前的报道中,英文媒体援引产业链方面的消息报道称,台积电和三星的3nm工艺研发均遭遇关键瓶颈,研发进度也不得不推迟。

台积电和三星的3nm工艺研发遭遇挑战,是否会影响到最终的量产时间也备受关注,但外媒在报道中表示,目前仍有足够的时间在2022年开始量产。

3nm是5nm之后芯片制程工艺上的一个完整的技术跨越,芯片的晶体管密度、速度和能耗,较5nm都将会有明显的提升。

在3nm工艺上,台积电和三星这两大芯片代工商走的是不同的路线,台积电仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),外媒称三星将采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

台积电CEO魏哲家,在此前的财报分析师电话会议上曾多地谈到3nm工艺,他表示3nm工艺计划2021年风险试产,他们的目标是在2022年下半年大规模量产。这也就意味着目前距离量产还有一年半的时间,他们也需要尽快攻克所遇到的关键瓶颈,以便在今年完成风险试产,进而在明年下半年大规模投产。

(HEA网® womensfinancehub.org)

责任编辑:编辑E组

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